DRIE前程似锦STS倾力打造300mm晶圆离子源

时间: 2024-04-02 07:15:41 |   作者：贝博足球app平台

  该公司标明，把该工艺技能拓宽为干流制作技能的原因首要在于，DRIE在贯穿晶圆互连中是有发展前途的使用。该公司因此决议开发一种适合于300mm晶圆工艺的离子源。

  DRIE工艺由轿车元器件供货商罗伯特博世有限公司创造，并在博世的微机电体系(MEMS)的制作中取得使用达10年之久。据悉，博世公司已在2005年订货了一套用于研制意图的PegasusDRIE体系。

  跟着2005年针对150mm和200mm直径晶圆的Pegasus体系的发布，STS证明了比其它传统DRIE体系更高的硅蚀刻率，然后拓荒了在薄晶圆或芯片堆叠使用中选用贯穿晶圆互连的可能性。STS指出，贯穿晶圆通孔的长处是：能减小裸片的占位面积；发生比线邦更短的互连；能够在裸片内定位，而不是仅仅在边际定位。

  STS首席技能官LeslieLea标明：“尽管咱们在MEMS职业的客户依然首要侧重于加工150mm或200mm晶圆，可是，绝大多数干流半导体制作商现已转向选用300mm晶圆来削减其裸片的本钱，开发满意这些客户要的蚀颗东西的决议标明，STS将为选用300mm晶圆的客户供给最前沿的解决方案。”

  STS首席执行官JohnSaunders指出：“假如咱们要在干流领域内彻底开掘咱们在硅蚀刻中技能抢先潜力的线mm等离子源是有待供给的要害功用。”

  下一篇：台湾将跨入50寸级TV面板年代奇美5.5代厂下一年1Q量产52寸面板